二次陽極氧化6061鋁管改性與機理增強
                       可望成為納米器件功能化和集成化的關鍵。由于多孔氧化鋁膜具有獨特的納米級柱狀微孔陣列結構,厚壁圓管：直徑15mm---160mm壁厚2.0mm40mm薄壁圓管：直徑20mm---130mm壁厚0.8mm---5.0mm優(yōu)質氧化鋁管6061 6063 7075 5083 2024 5056 5052 7005 壁厚0.8*300mm無縫鋁管505260616063505620247075壁厚3*90mm鋁棒規(guī)格:最大直徑:500mm收藏 |手機打開 二維碼 一維納米陣列的制備與性能研究 一維體系是用于電子及光激子有效傳輸的最小緯度結構.用其作為模板可以合成各種一維納米結構材料,因此,多孔氧化鋁模板法組裝設計納米結構材料已成為當今納米材料研究領域的熱點之一。
         本論文采用二次陽極氧化方法,草酸電解液中成功地制備出具有納米級孔洞的高度有序的多孔陽極氧化鋁模板,運用掃描電子顯微鏡(SEM原子力顯微鏡(AFM和X射線衍射(XRD等手段,研究了多孔氧化鋁膜的結構形貌和生長機理。實驗結果表明,多孔氧化鋁膜為非晶結構,由多孔層和阻擋層兩層組成,多孔層為緊密堆積的六方柱狀結構,柱中孔洞相互平行、分布均勻,阻擋層致密無孔,與多孔層相比其厚度要小得多。以多孔氧化鋁 6061鋁管為模板,用交流電沉積的方法在模板中的孔洞中成功組裝了鐵磁性金屬CoNiCoNi合金納米線陣列,以及鐵磁性金屬-非金屬CoP合金納米粒子陣列。用SEM透射電子顯微鏡(TEMXRD等,對組裝體系進行結構表征,結果表明CoNi及CoNi合金陣列體系中納米線均勻有序,形狀各向異性較大(縱橫比達30以上),有顯著的結晶擇優(yōu)取向;而CoP合金納米陣列的微觀形態(tài)為離散的納米顆粒,其晶體結構為非晶。對CoNiCoNi合金納米線陣列體系進行磁性分析,VSM測試結果顯示,納米線有明顯的磁各向異性,適合用作垂直磁記錄介質。通過樣品退火前后宏觀磁性能比較,探討了交流電沉積磁性納米線陣列的磁化反轉機制。此外,本文還在多孔氧化鋁模板中用交流電沉積的方法嘗試制備了半導體CdS納米材料,并對其結構形貌和光學性能進行初步研究,表明CdS納米線具有六方纖鋅礦結構,且沿著一定的方向擇優(yōu)生長。組裝了CdS納米線的多孔氧化鋁模板與空的模板相比,其光致發(fā)光強度明顯增強。